专注碳化硅 (SiC) 外延片研发与生产13年
全球碳化硅外延片主要生产商
公司于2009年1月7日成立以来，经过3年的筹建、研发、调试，到后来规范化一系列准备工作后，于2012年正式申请ISO 9001：2008认证，并于2012年12月顺利通过审查，成功获得了ISO 9001：2008认证。
2012 ECSCRM在俄罗斯圣彼得堡于9月2日至9月6日举行, 来自26个国家超过500位参会人员参加了这次会议。 该会议主要是讨论关于碳化硅(SiC)和其他相关材料国际上的最新进展，内容包括晶体及
2012年8月14日下午，市委书记、市人大常委会主任徐建华的陪同下，中国工程院院长周济与中国工程院原副院长邬贺铨率有关院士、专家一行28人考察我公司。
2011年6月，第三代半导体碳化硅材料和器件研发及产业化创新科研团队。团队带头人王占国，中国科学院院士，半导体材料及材料物理学家。核心成员由6名研究院组成。研究方向为第三代宽禁带
2010年5月，“中科院半导体所天域碳化硅技术研究院”，由广东省东莞市天域半导体科技有限公司和中国科学院半导体研究所联合组建。中科院半导体所是我院首批进入知识创新工程单位之一
